器件采用歐翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK?SO-8L小型封裝具有業(yè)界出色FOM并獲得AEC-Q101 

    賓夕法尼亞、MALVERN—2021年4月7日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）推出通過AEC-Q101 、 先進(jìn)的p溝道80VTrenchFET?MOSFET---SQJA81EP。新型VishaySiliconixSQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80Vp溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13mmx6.15mmPowerPAK?SO-8L小型單體封裝，10V條件下 導(dǎo)通電阻僅為17.3mW/典型值為14.3mW。

    日前發(fā)布的汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比 接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28%，比前代解決方案低31%，占位面積減小50%，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。SQJA81EP10V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52nC，減少柵極驅(qū)動(dòng)損耗，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到業(yè)界出色水平。

    器件可在+175°C高溫下工作，滿足反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）功能，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級(jí)可靠性。

    器件80V額定電壓滿足12V、24V和48V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，無需配置n溝道器件所需的電荷泵。MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100%Rg和UIS測(cè)試。

    SQJA81EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。